硬度21.9 GPa
利用旋节分解形成Ta富集/W富集交替纳米层，通过共格交替应力场钉扎位错，实现高硬度与低磨损。
Zhichao, Jiao · Hua, Dongpeng · 周青 · Li, Shuo · Luo, Dawei · 王海峰 · Liu, Weimin
Journal of Materials Science and Technology 2025
交替纳米层产生的共格应力场约束位错运动，使薄膜硬度提高至21.9 GPa，远高于普通单相HEA薄膜。
薄膜磨损率低至10⁻⁵ mm³/(N·m)量级，甚至超越部分高熵陶瓷涂层，耐磨性能优异。
通过磁控溅射工艺实现旋节分解，获得周期约7 nm的交替纳米层，为设计高性能HEA薄膜提供新途径。