GaN功率放大器

抗单粒子烧毁

揭示GaN MMIC功率放大器在78.1 MeV·cm2/mg线性能量转移下的单粒子烧毁机制，指出功率级GaN HEMT和MIM电容为烧毁易损点。

Hao, Zhang · 郑雪峰 · Danmei, Lin · 吕玲 · 曹艳荣 · Hong, Yue Hua · Zhang, Fang · Wang, Xiaohu · Wang, Yingzhe · Weidong, Zhang · Zhang, J. F. · 马晓华 · 郝跃

Applied Physics Letters 2024

具体参数

线性能量转移

{'zh': '78.1', 'en': ''} MeV·cm2/mg

技术优势

功率级GaN HEMT烧毁

MIM电容烧毁