褶皱表面铜膜

界面完全消除

通过淬火在铜膜表面制造褶皱，使铜-铜键合在300°C下实现无界面结合，区别于传统平坦铜膜的弱界面问题。

Lu, Yen Feng · Yu, Yen Ting · Wang, Pei · Cheng, Yen Fu · Chen, Yung Hsiang · Wu, Yewchung Sermon

Nanomaterials 2024

参数信息

键合温度
300 °C
键合时间
2 h
键合时间
4 h

技术优势

键合界面消失

淬火使Cu膜表面形成褶皱，键合时界面两侧的晶粒跨越原界面生长，从而完全消除界面。

300°C即可

传统的Cu-Cu键合需要更高温度才能获得良好结合，本工作证明300°C下2小时和4小时即可消除界面。

应用场景