氟化石墨烯图案

无掩膜直写

在单层石墨烯上直接写出半导体性氟化区域，实现约380 nm紫光发射，为石墨烯光电器件提供无掩膜加工路径。

Zhang, Chen · Zheng, Xiaoxiao · Jie, Cui · 刘江伟 · Duan, Tianbo · Zhang, Baoqing · Zhang, Zihao · Jafri, Syed Hassan Mujtaba · Papadakis, Raffaello · 钱钊 · Li, Hu · Leifer, Klaus

Applied Surface Science 2023

参数信息

光致发光峰位

380 nm

技术优势

带隙被打开

氟化后形成C₄F，产生约380 nm的强光致发光，证明材料转变为半导体。

能直接写图案

电子束活化氟化技术无需掩膜，即可在石墨烯上实现高分辨率氟化图案。

器件开关比提升

C₄F场效应晶体管表现出p型半导体行为，开关比显著增强。

应用场景

• 石墨烯光电器件：为无带隙石墨烯提供可图案化半导体区域，用于构建发光与光电探测器件。
• 无掩膜光刻：电子束直写氟化图案，省去掩膜版制作和转移步骤，适合快速原型。
• 石墨烯发光器件：使石墨烯在紫光波段发光，为石墨烯基发光二极管提供有源材料。