硅片表面缺陷检测模型

小缺陷高精度识别

在复杂背景下精准识别硅片表面微小缺陷，降低误判率，检测精度优于现有方案。

Guanqun, Zhu · Jinsong, Peng · 盛连超 · 陈天驰 · 何贞志 · 陆向宁

Physica Scripta 2024

参数信息

平均精度均值(mAP@0.5)提升幅度

4.8 %

模型参数量降幅

11.8 %

训练数据集规模

6000

技术优势

小缺陷也能看见

增加的检测头专门针对小目标，使模型能识别复杂背景下的微小缺陷。

不牺牲速度

SimAM注意力机制不增加参数数量，GhostConv改进骨干网络，保持轻量化。

定位更准

Wise-IOU损失函数解决了传统损失函数评估偏差的问题，使模型预测的边界框更贴近真实缺陷。

应用场景

• 微纳制造：在线检出晶圆表面微小缺陷，提升良率。
• 光刻制造：光刻后快速筛查图案缺陷，减少废片。
• 下一代半导体：新型半导体工艺中的缺陷检测可随工艺更新。
• 精密仪器与测量：嵌入精密测量设备，提供智能缺陷识别。