高开关比低波动
通过激光诱导缺陷工程，二维InSe从无阻变特性转变为稳定的易失性阻变材料，实现可调控的导电细丝型开关。
丁烨 · Guan, Yanchao · 王阳 · 杨立军
ACS Applied Materials & Interfaces 2025
激光照射引发InSe纳米片减薄、氧化和缺陷形成，无需复杂化学处理即可调控阻变性能。
器件开关比高达10²–10³，开关电压波动仅9.4%，展现出高可靠性和一致性。
第一性原理计算证实铟和硒空位促进钛离子迁移，形成导电细丝，阐明阻变起源。
优异的开关均匀性和稳定性使该器件成为神经形态计算系统的理想候选。