SAM全覆盖、界面应力释放
这种小分子能同时补全自组装单分子层的缺陷并钝化钙钛矿埋底界面,一举解决覆盖不足与界面复合问题。
Shizi, Luo · Bi, Zhuoneng · 79488422 · Tongjun, Zheng · Wei, Xiaochun · Nie, Youliang · Taye, Biniyam Zemene · Zhou, Jing · Tauqeer, Haider Ali · Gutsev, Lavrenty G. · Vasenko, Andrey S. · Gutsev, Gennady L. · Prezhdo, Oleg · 於黄忠 · Xu X.
Energy and Environmental Sciences 2026
EAPA 溶液洗掉弱结合的 Me-4PACz 分子并填补 SAM 空隙,在起伏的 NiOₓ 表面形成高覆盖且均匀分布的单分子层,减少了直接接触造成的界面复合。
EAPA 与钙钛矿组分相互作用,延迟两步法中的化学反应,促进 PbI₂ 转化为钙钛矿并平坦化埋底界面的晶界,从而均质化并释放界面应力。
界面应力释放的同时钝化缺陷,显著抑制非辐射复合,从而提升开路电压至 1.209 V。
倒置器件在 65 °C 最大功率点跟踪下连续光照 800 小时后仍保持初始效率的 90%,表明 EAPA 同时改善了运行稳定性。