p-GaN HEMT

抗强电磁脉冲

通过器件结构优化和电路配置增强GaN HEMT对大功率电磁脉冲的耐受能力，揭示损伤机制并给出保护设计。

Wang, Lei · 柴常春 · 赵天龙 · Li, Fuxing · Qin, Yingshuo · 杨银堂

Xi'an Dianzi Keji Daxue Xuebao/Journal of Xidian University 2023

技术优势

抗电磁干扰能力提升

适当的钝化层增强了击穿特性，从而提高器件抵抗电磁干扰的能力。

耐受大功率电磁脉冲

在栅极和源极串联电阻元件可以增强器件承受大功率电磁脉冲损伤的能力。

应用场景

• 功率半导体应用：用于电源模块抗电磁脉冲加固设计，提高系统可靠性。
• 毫米波通信：保护毫米波通信中的 GaN 功率放大器免受电磁脉冲损伤。
• 精密仪器与测量：用于强电磁环境下精密仪器的抗干扰设计。
• 下一代半导体：为下一代 GaN 半导体器件提供可靠性和抗电磁脉冲设计方法。