薄MoS₂界面层

效率9.64%

有意插入的超薄MoS₂层优化Mo/CZTSSe界面，降低复合，提升器件性能。

Xu, Zhen · 姚斌 · 李舸 · 丁会 · Deng, Rui · Heng-Nan, Liang · Du, Bo · 李永峰

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

具体参数

能量转换效率
{'zh': '9.64', 'en': '9.64'} %
并联电阻
{'zh': '634', 'en': '634'} Ω·cm²

技术优势

并联电阻显著提高

并联电阻由约395 Ω·cm²增至约634 Ω·cm²，漏电流减小，有利于填充因子和开路电压的提升。

吸收层更致密无针孔

插入MoS₂后，吸收层呈现连续致密形貌，晶粒更大，表面和截面均无明显针孔。

反向饱和电流密度降低

MoS₂修饰器件的J₀有效降低，表明界面复合得到抑制，二极管特性改善。

界面设计可控可调

通过优化MoS₂层的厚度，可以系统地调节Mo/CZTSSe界面质量和器件性能。

应用场景