WSe₂/GaN范德华异质结

双波长响应整流

采用机械剥离法在GaN衬底上制备的WSe₂/GaN异质结光电探测器，具有优异整流特性和双波长光响应能力，并证实I型能带排列，为光电器件提供潜力。

Ye, Bingjie · Liu, Yushen Sheng · 谢峰 · Yang, Xifeng · Gu, Yan · 张秀梅 · 钱维莹 · Zhu, Chun · 陆乃彦 · Chen G.Q. · 杨国锋

Materials Today Nano 2023

技术优势

双波长光响应

WSe₂/GaN异质结能够同时响应不同波长的光信号，拓宽了探测范围，使单一器件可以覆盖更宽的应用场景。

I型能带排列

DFT计算证实该异质结具有I型能带排列，有利于载流子限制和增强光吸收，从而提高光电转换效率。

制备简单

采用机械剥离法将WSe₂转移到GaN衬底上，避免了复杂的生长工艺，降低了制造成本和难度。

应用场景

• 宽谱光电探测：单一器件覆盖宽谱探测，替代多个单色探测器组合。
• 范德华异质结器件：利用异质结界面特性提升光响应，简化器件集成。
• 光电器件集成：可直接集成到光电器件中，实现双波段信号采集。
• 双波段光传感器：双波长响应能力使其适用于多光谱成像和通信。