坡莫-纳米晶磁屏蔽筒

动态屏蔽提升2倍

内层置纳米晶的结构使低频交流屏蔽性能显著优于传统单层磁屏蔽筒,尤其适合提高磁强计灵敏度。

Lanjie, Yuan · 崔培玲 · 张海峰 · Zhao, Fengwen · Li, Yanbin · Lu, Zhang · Yue, Zheng · Zhouqiang, Yang

IEEE Sensors Journal 2024

参数信息

平均动态径向屏蔽因子提升倍数
2.05 ×
平均噪声降低百分比
63.58 %

技术优势

屏蔽性能翻倍

在0.5–95 Hz范围内,平均动态径向屏蔽因子比传统磁屏蔽筒提高了2.05倍,直接提升磁强计灵敏度。

噪声降低六成

平均噪声在0.5–95 Hz范围内降低了63.58%,可提高心磁图信号的信噪比。

结构优化有依据

通过实验和有限元仿真详细分析了纳米晶置于最内层时性能显著优于中层和外层的原因,为设计提供明确指导。

应用场景