Yb掺杂ZrNiSn半赫斯勒合金

双高功率因数与zT

通过焓驱动的微观结构重构,将Hf析出相转变为超结构,同时提升电子迁移率并抑制热导率,实现热电性能解耦。

Qiqi, Tang · Deng, Quanzheng · 江彬彬 · Peng, Li · Wang, Yan · Zhongbin, Wang · Liu, Xusheng · Jia, Baohai · Huang, Zhenlong · Zhou, Chongjian · Yao G. · 林媛 · Liu, Ruiheng · 何佳清

Advanced Energy Materials 2026

参数信息

峰值zT
1.32
功率因数
58 µW·cm⁻¹·K⁻²
模块转化效率
10.2 %
电子迁移率提升
55 %

技术优势

电子迁移率提升55%

Hf析出相转变为超结构,消除了不连续晶格周围的电子散射。

热导率被抑制

超结构引入强声子散射,降低晶格热导率。

模块效率达10.2%

在自制模块中实现10.2%的实验转化效率,属于半赫斯勒合金中的最高值之一。

应用场景