应变梯度壳InP量子点

窄发射 · 高稳定

通过梯度合金壳层缓释晶格失配应力，实现厚ZnS壳层的可控生长，显著抑制非辐射复合。

Duan, Xijian · Zhang, Wenda · Hao, Junjie · Lei, Jin · Samuelson, Lars · 孙小卫

Nano Letters 2025

参数信息

半峰宽

45 nm

光致发光量子产率

80 %

技术优势

发射更窄

梯度壳有效缓释应变，抑制界面缺陷，使半峰宽收窄至45 nm，提升色纯度。

效率更高

厚ZnS壳层钝化表面悬挂键，非辐射复合被显著抑制，PLQY达到80%以上。

长期稳定

优化的壳层结构提高了光化学稳定性，使其在长时间光照或高湿环境下性能衰减更慢。

应用场景

• 量子点发光显示：利用窄发射和高量子产率，替代CdSe量子点，实现广色域、无镉显示。
• QLED器件：作为发射层材料，窄FWHM提高器件色纯度，高PLQY提升外量子效率。
• Micro-LED色彩转换：可制成色彩转换层，将蓝光Micro-LED转换为纯红光，高稳定性确保长期可靠。
• 柔性发光薄膜：可与聚合物复合成柔性膜，窄发射和稳定性适用于可折叠显示设备。