超低1/f噪声带隙基准

0.1–10 Hz噪声仅0.82 μV

通过去除误差放大器，从根源上消除带隙基准的主要低频噪声源，为MEMS陀螺仪等精密传感器提供更干净的基准电压。

邹俊俊 · 魏琦 · Ju, Chunge · Hua, Liao · Haoyu, Gu · Bowen, Xing · 周斌 · Rong, Zhang

Microsystems and Nanoengineering 2023

参数信息

积分噪声

0.82 μV

热噪声

35 nV/√Hz

芯片面积

545 × 423 μm

技术优势

噪声更低

移除误差放大器后，0.1–10 Hz积分噪声降至0.82 μV，热噪声为35 nV/√Hz。

面积更小

采用180 nm CMOS工艺，芯片面积仅为545×423 μm²，适合集成。

性能可预测

建立了简化的噪声模型，可用于优化输出噪声，避免反复试错。

应用场景

• MEMS陀螺仪：降低1/f噪声，直接改善陀螺仪偏置不稳定性。
• 精密测量仪器：为精密测量电路提供低噪声基准电压，提升精度。
• 低噪声传感器接口：作为低噪声传感器接口的基准源，降低系统噪声。