自屏蔽双平面线圈

抑制串扰

在产生均匀磁场的同时把相邻器件间的杂散场压到极低，专为磁强计密集阵列而设计。

Gen, Hu · 叶茂 · Ankang, Wang · Zhou, Peng · Hu, Jinsheng · Lu, Liu · Liang, Zihua · 全伟

IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 2025

参数信息

外部相对磁场

1 %

Bx场相对不均匀度误差

9.4 %

开环灵敏度

16 fT/Hz1/2

技术优势

杂散场降两个数量级

距原点16.3 mm处外部相对磁场约1%，而传统线圈在相邻器件处产生的杂散场要高得多，密集阵列中不再互相干扰。

均匀性够用

Bx场相对不均匀度误差最大绝对值9.4%，在目标区域内产生的磁场足够均匀，可以用于补偿或调制。

芯片上就能测

该线圈通过CMOS兼容微加工方法制备，且在多层磁屏蔽（剩余磁场<10 nT）内使磁强计实现16 fT/Hz1/2的开环灵敏度，表明其可以直接集成到原子磁强计芯片上。

应用场景

• 脑磁图系统：阵列中相邻通道不再互相干扰，提高脑磁源定位精度。
• 心磁图系统：多通道心磁测量时杂散场低，信号更干净。
• 可穿戴磁强计阵列：自屏蔽设计使紧凑排列的传感器阵列仍能保持独立测量。
• 原子磁强计集成：CMOS兼容工艺可直接将线圈与原子气室集成在芯片上。