单层MoSi₂N₄单晶

晶圆级p型半导体

首次实现晶圆级p型二维半导体单晶，为互补集成电路提供缺失的高稳定空穴传输平台。

Sun, Su · Xu, Chuan · Yuexing, Xia · Tong, Bo · Tong, Jinmeng · 陈晨 · Zhou, Duanliang · Wang, Qinghe · Yang, Lixin · 强王 · Li, Miaomiao · Biyuan, Zheng · Lai-Peng, Ma · 刘新风 · Liu, Zhibo · Liu Xinfeng · 刘开辉 · 刘鹏 · 姜开利 · Cheng Hui-Ming · 任文才

Nature Materials 2026

具体参数

本征迁移率
154 cm² V⁻¹ s⁻¹
开关比
3.8±1.4×10⁶
开态电流密度
17.96 μA μm⁻¹

技术优势

稳定性超WSe₂

器件的稳定性优于单层WSe₂基准，更适合实际应用。

迁移率154 cm²/Vs

本征迁移率高达154 cm² V⁻¹ s⁻¹，为高性能晶体管奠定基础。

应用场景