避免误判过流保护
通过杂散参数建模揭示直流断路器IGBT伪去饱和效应的机理，并据此提出延时保护判据方案，避免电磁干扰导致的保护误动。
Shen, Hong · 齐磊 · 张翔宇 · 焦重庆 · 70291954 · Li, Liu
IEEE Transactions on Industrial Electronics 2023
通过宽带等效电路模型揭示伪去饱和效应由杂散电感、压敏电阻结电容和对地寄生电容形成的多谐振回路引起，并搭建等效实验电路验证，主谐振频率误差小于15%。
基于故障初期干扰的频域和时域特性，在过流保护判据中增加延时时间即可规避电磁干扰，无需改动主回路拓扑，方案简单实用。
所提延时保护判据方案已被一个工业项目采用，证明其在200 kV直流断路器工况下的有效性和实用性。