1100 °C 氧化 200 h 基体少退化
痕量钇通过促进氧化铝保护层快速形成,抑制基体退化,显著减少无γ′层厚度。
Hui, Xu · Xinyue, Ye · 王恩会 · Guo, Chunyu · Zhou, Linlin · 张延玲 · 杨涛 · 赵云松 · 杨树峰 · 侯新梅
Journal of Materials Science and Technology 2027
孤立 Y 原子稳定含 Al 局域构型,降低 Al 脱附能垒,提高生成 Al2O3 的热力学驱动力,使保护性 Al2O3 层更快形成,从而抑制基体退化。
快速形成的 Al2O3 保护层阻止了 γ′ 形成元素的外扩散,从而减少了无 γ′ 层和少 γ′ 层的厚度。
0.011 wt.% Y 是最佳添加量;过量(0.033 wt.%)会形成 Y-Y 团簇,削弱有益效果并延迟 Al2O3 形成。