3.33% 的 GeSe 电池
该缓冲层通过水热法低温生长，实现了超薄、均匀致密且无杂质的界面，显著提升了GeSe太阳能电池性能。
Zhou, Jing · Shengwen, Yang · Li, Gao · Zhenming, Qu · 曹宇 · 于晓明 · 余璇 · 倪牮 · 张建军
Solar Energy Materials and Solar Cells 2025
通过水热法的缓慢生长动力学，精确控制缓冲层厚度降至约 8 nm，减少寄生吸收。
水热生长的 Sb₂Se₃ 缓冲层使器件界面特性优于传统近空间升华法，且效率相当。
优化 Se/Na₂SO₃ 摩尔比为 1:6 时，获得平滑、均匀、致密且无 Sb₂O₃ 杂质的缓冲层。