双场板GaN HEMT小信号模型

将栅场板和源场板网络纳入等效电路，在1.0至18.0 GHz范围内比经典模型更贴合实测S参数。

Wang, Jinye · 刘俊 · Zhao, Zhenxin

Journal of Semiconductors 2024

参数信息

频率范围

1.0 to 18.0 GHz

技术优势

模型更准

仿真S参数与实测在1.0–18.0 GHz内更吻合，比经典模型更接近。

覆盖双场板

模型明确包含栅场板和源场板网络，可描述双场板器件特性。

应用场景

• 射频GaN器件建模：为带双场板的GaN HEMT提供高精度模型，直接嵌入仿真工具。
• GaN功率器件设计：设计阶段即可预测带双场板器件的S参数，减少流片迭代。
• 功率放大器：提供准确的器件模型，支撑功放电路匹配网络设计。