镧系氧溴化物单晶高κ介电层

宽带隙遏漏电

同时实现宽于5.7 eV的带隙与14.8的高介电常数，打破高κ介电层易漏电的固有矛盾。

Yue, Tang · Yiru, Gu · 翟天佑 · 张雷 · 徐华

Advanced Materials 2026

具体参数

介电常数

{'zh': '14.8', 'en': '14.8'}

击穿场强

{'zh': '14.2', 'en': '14.2'} MV cm⁻¹

亚阈值摆幅

{'zh': '63', 'en': '63'} mV dec⁻¹

滞回

{'zh': '0.72', 'en': '0.72'} mV/(MV cm⁻¹)

开关比

{'zh': '10⁷', 'en': '10⁷'}

技术优势

高温照样稳定工作

LaOBr 顶栅 MoS₂ 晶体管在高达 450 K 的温度下仍保持优异的电学可靠性，无性能退化。

开关比千万级

顶栅 MoS₂ 晶体管亚阈值摆幅接近玻尔兹曼极限（63 mV dec⁻¹），滞回可忽略（0.72 mV/(MV cm⁻¹)）。

应用场景

• 柔性器件：单晶薄片可转移，低温集成到柔性衬底上作为高κ介质。
• MEMS与微流控：宽带隙高击穿场强适合 MEMS 中的绝缘与电容传感层。
• 电子皮肤：可转移至柔性基底，高温稳定，适用于电子皮肤传感阵列。
• 低维与纳米材料：本身就是二维单晶材料，可直接与 MoS₂ 等构建范德华异质结。