掺镧In₂O₃薄膜晶体管

低压增强型工作

通过La掺杂抑制载流子并钝化氧空位缺陷，使器件在1 V下稳定工作于增强模式。

Tuokedaerhan, Kamale

RSC Advances 2024

参数信息

氧缺陷浓度从

27.54 %

亚阈值摆幅

0.84 V dec⁻¹

载流子迁移率

14.22 cm² V⁻¹

阈值电压

2.16 V