SiC晶须增强氧化铝陶瓷

晶须拔出耗能提高抗弯强度

通过高速数字光加工制备的SiC晶须增强氧化铝陶瓷，在晶须拔出时消耗外部加载能量，从而实现显著的增强效果。

Xin, Mingze · 刘战强 · Bing, Wang · Zhao, Jinfu · 蔡玉奎 · Qinghua, Song

Journal of Materials Research and Technology 2023

参数信息

显微硬度

16.72 GPa

抗弯强度

208.5 MPa

固化深度

158 μm

固化深度

19 μm

技术优势

强度硬度同步提升

8 vol.% SiCw时，氧化铝陶瓷的抗弯强度达208.5 MPa，显微硬度16.72 GPa，晶须拔出消耗外部加载能量。

固化深度可预测

修正Beer-Lambert模型可评估固化深度与晶须含量、曝光参数的关系，为工艺优化提供依据。

应用场景

• 陶瓷基复合材料：用晶须增强陶瓷基体，提升耐磨结构件的强度和韧性。
• 数字光处理3D打印：解决高折射率晶须浆料难固化问题，实现复杂陶瓷件打印。