电场调控层MUTC光电二极管

高速高饱和输出

插入电场调控层优化集电区电场分布，在高峰值光电流下提升响应带宽。

刘开 · 段晓峰 · 黄永清

Sensors 2026

具体参数

3 dB带宽

{'zh': '130', 'en': '130'} GHz

渡越时间限制带宽

{'zh': '162', 'en': '162'} GHz

3 dB带宽提升

{'zh': '9.3', 'en': '9.3'} %

射频输出功率

{'zh': '11.54', 'en': '11.54'} dBm

技术优势

带宽提升9.3%

插入20 nm电场调控层后，集电区电场分布被优化，电子在高峰值光电流下仍能以接近峰值漂移速度输运，从而提升带宽。

可高电流下工作

在15 mA光电流下仍能保持130 GHz的3 dB带宽，表明器件具有高饱和输出能力。

应用场景

• 高速光通信：提高光接收机带宽，支持更高速率的数据传输。
• 高速光电探测：在高峰值光电流下仍保持高速响应，适用于强光探测场景。
• 毫米波通信：产生毫米波信号，用于无线通信系统。
• 微波光子学：实现高速光电转换，处理微波信号。