折叠三线圈变压器LNA芯片

1.9 dB最低噪声

采用折叠三线圈变压器与双前馈技术，在实现最低噪声性能的同时将芯片面积缩小到200 µm × 300 µm核心区域，适合阵列集成。

Huang, Xiangrong · 贾海昆 · 邓伟 · Zhihua, Wang · 池保勇 · 王自强

IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 2024

参数信息

最小噪声系数

1.9 dB

峰值增益

16.7 dB

3 dB带宽

4.3 GHz

功耗

13.2 mW

工艺

65 nm

技术优势

噪声最低

折叠三线圈变压器与电磁双前馈技术协同降低噪声，在28 GHz实现1.9 dB最小噪声系数，为同类CMOS设计中最优。

功耗够低

电流复用版本将功耗降至3.6 mW，噪声仅增加0.6 dB，适合大规模阵列的功率预算。

应用场景

• 毫米波相控阵：紧凑面积与低噪声适合大规模阵列单元集成，无需片外匹配。
• 5G前端模块：在28 GHz频段提供1.9 dB噪声系数，提升接收灵敏度。
• 卫星通信终端：低功耗与低噪声满足卫星终端对接收链路性能的严苛要求。
• 高频测试系统：可作为前端低噪声放大模块，提高测试系统的灵敏度。