Sn掺杂Ga₂O₃微米带阵列

编织成网·日盲探测

由Sn掺杂β-Ga₂O₃微米带编织成网格结构，每个交叉点自成一个光探测像素，信号读取无需额外电极布线。

周颖 · Zhang, Zhenfeng · 杨珣 · Liu, Tong · He, Gaohang · Lin, Chaonan · 黄涛 · Liu, Hang · Wang, Yong · Wang, Yanan · Chong-Xin, Shan

ACS Nano 2024

具体参数

暗电流

0.5 pA

响应时间

38.8 μs

响应度

300 A/W

技术优势

光暗电流比10⁸