Janus MoSeS/CrBr₃异质结

极化场增强磁电耦合

利用内置极化场调控界面轨道杂化与自旋-电荷输运，实现超快选择性自旋隧穿并增强谷极化。

Liu, Mengyu · Chen, Zilong · 汪浩 · Zheng, Xuanli · Cao, Yiyan · Xu, Feiya · Kong, Lijing · Zhang, Chunmiao · Xu, Li · 吴雅苹 · 吴志明 · 康俊勇

ACS Nano 2026

技术优势

谷极化提升

极化电场增强了界面轨道杂化，使MoSeS中的谷极化显著提高。

自旋选择性输运

实现超快选择性自旋-电荷隧穿，有助于发展高效自旋注入。

应用场景

• 自旋电子器件：利用极化场调控自旋输运，实现高效自旋注入与操控。
• 谷电子器件：借助增强的谷极化，设计新型谷电子器件。