多孔硅立式石墨烯负极

200次循环容量保持48.6%

在微米级多孔硅上原位生长垂直石墨烯涂层，有效缓解体积膨胀并抑制界面反应，构建三维导电网络提升倍率与锂离子扩散。

Chen, Chenchen · Zheng, Run · Lanshan, Ye · Yue, Fen · Cheng, Jiaxin · Wang, Juan · Shenran, Zhang · Wu, Binbin · 吕鹏鹏 · Jie, Liang · 李军

Electrochimica Acta 2024

具体参数

可逆容量
{'zh': '1563', 'en': '1563'} mAh g⁻¹
容量保持率
{'zh': '48.6', 'en': '48.6'} %

技术优势

体积膨胀被抑制

垂直石墨烯涂层包裹多孔硅微米颗粒，为硅的体积变化提供缓冲空间，同时多孔结构本身也吸收部分应力。

界面反应被抑制

石墨烯涂层隔绝了硅与电解液的直接接触，减少不稳定SEI膜的反复生成与破裂。

导电网络更完善

垂直碳纳米片构成三维导电通路，提高电子和锂离子传输速率，从而改善倍率性能。

应用场景