钙钛矿@氧化物发光像素

5000 PPI 微 QLED

激光直写形成的氧化物包覆层抑制非发光区漏电，让微型 QLED 兼具超高分辨率和破纪录的发光效率。

Ma, Teng · Wang, Yifei · 陈俊 · Wang, Run · Rongqiu, Lv · Chen, Ziyi · Weishu, Guo · Guo, Tingting · Ji, Yucong · 宋秀峰 · Zhiyong, Fan · 相恒阳 · 李振华 · 曾海波

Advanced Functional Materials 2025

参数信息

红色外量子效率

17.24 %

绿色外量子效率

21 %

蓝色外量子效率

6.6 %

像素密度

5000 PPI

技术优势

无需掩模和刻蚀

激光直接写入即可完成像素定义和氧化物包覆，替代了传统光刻、刻蚀等复杂工序。

漏电被抑制

激光生成的氧化物层在非发光区阻挡电子传输，减少电荷泄漏，提升 Micro-QLED 阵列效率。

分辨率破纪录

实现了 2000–5000 PPI 的超高像素密度，为钙钛矿 Micro-QLED 中报道的最高值。

应用场景

• 量子点发光 QLED：提供高分辨、高效率的 Micro-QLED 像素阵列制备方案。
• 钙钛矿光电器件：展示钙钛矿量子点像素的激光图案化与氧化物包覆，提升器件性能。
• Micro-LED 显示：实现 2000-5000 PPI 的超高分辨率显示像素，用于下一代微显示。
• 激光微纳加工：利用激光直写一步完成像素定义与氧化物生成，简化微纳制造流程。
• 高分辨率显示制造：提供无掩模、快速的高分辨率像素制备方法。