禁带波长可传感
通过高剂量氩填充空位形成宽缺陷带，打破硅的带隙限制，实现通信波段红外吸收与n型导电。
陈念科 · Gao, Yuchen · 赵纪红 · 李春好 · 陈岐岱 · 孙宏波 · Zhang, Shengbai · 李贤斌
Advanced Optical Materials 2024
氩填充空位产生的缺陷带位于带隙深处，使硅在1.31和1.55 µm等原本无法吸收的通信波段产生强红外吸收。
即使在氩气中激光处理后1300天，硅中的氩浓度仍高达10²⁰ cm⁻³，远超常规掺杂水平，确保长期可用性。
同一缺陷带不仅引起红外吸收，还导致n型电导率显著增加，使材料兼具光学与电学功能。