多臂D-A分子桥

埋底界面缺陷钝化

通过多臂给体-受体偶极分子桥调控钙钛矿太阳能电池埋底界面，实现高效空穴传输与应力释放。

杨纪恩 · Yehua, Zhang · Zhang M. · Hongzhuo, Wu · 刘海瑞 · Tang, Xiaodan · 秦朝朝 · Li, Meng · Yuan Mingjian

Angewandte Chemie - International Edition 2026

具体参数

冠军PCE

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技术优势

效率刷新纪录

T4IA界面调控的p-i-n钙钛矿太阳能电池冠军PCE达到26.79%，高于对照器件。

传输更快

T4IA具有三苯胺基空穴传输单元，构建高效空穴传输通道，加速电荷提取。

缺陷被锁定

C═N和甲氧基与欠配位Pb2+强配位，减少陷阱态，提高界面稳定性。

应用场景

• 钙钛矿太阳能电池：利用T4IA分子桥提升埋底界面电荷传输，制备高效稳定钙钛矿电池。
• 光伏器件界面工程：通过偶极分子桥调控界面能级排列，抑制非辐射复合。
• 界面修饰材料：提供多臂D-A分子桥作为埋底界面修饰层，钝化缺陷并释放应变。
• 有机半导体分子：T4IA作为空穴传输型有机半导体，优化界面能级并加速空穴提取。