400 °C低温成膜
借助燃烧合成在400 °C低温下制备的In₂O₃纳米线网络膜，可用作场效应晶体管沟道材料，兼具高开关比和大面积均匀性。
Yang, Xiaokun · Song, Longfei · Luo, Linqu · Hu, Zhuan · 王凤云
Vacuum 2023
400 °C制备的In₂O₃纳米线网络膜场效应晶体管 Ion/Ioff 达 10⁵
Ion 为 6 × 10⁻⁵ A
燃烧反应存在时纳米线分解温度低至430 °C