高掺薄层GaN肖特基二极管

2 THz级毫米波混频

通过提高有源层掺杂浓度并减薄至百纳米,缓解截止频率受串联电阻与结电容的制约,为太赫兹倍频提供可集成的平面核心器件。

Gu, Guodong · Xiaolin, Hao · Yawei, Wang · Song, Xubo · Zhang, Lisen · 梁士雄 · Lv, Yuanjie · 冯志红

Semiconductor Science and Technology 2025

具体参数

直径
1.2 μm
掺杂浓度
8 e17 cm
层厚
100 nm
串联电阻
27.2 Ω
零偏结电容
2.69 fF
截止频率
2.17 THz