杯芳烃分子光刻胶

14 nm 半节距

一种基于杯芳烃衍生物的单组分非化学放大光刻胶，通过分子间氢键增强抗蚀膜机械强度，在电子束和极紫外光刻中实现高达14 nm半节距的高分辨率图案，且线边缘粗糙度低至1.7 nm。

Rongrong, Peng · 陈金平 · 于天君 · 曾毅 · 王双青 · 郭旭东 · 胡睿 · Peng, Tian · Vockenhuber, Michaela · Kazazis, Dimitrios · Zhao, Jun · Yanqin, Wu · Ekinci, Yasin · 杨国强 · 李嫕

Chinese Journal of Chemistry 2025

参数信息

半节距（EUVL）

14 nm

线边缘粗糙度

1.7 nm

线/间距（L/S）

18 nm

半密集图案（L/2S）

14 nm

技术优势

无需化学放大

单组分非化学放大体系省去酸催化剂和曝光后烘烤步骤，简化工艺并避免酸扩散引起的图像模糊。

抗图案坍塌

C2S分子间氢键提高薄膜杨氏模量，增强机械强度，从而支撑高深宽比结构不发生坍塌。

线粗糙度低

极紫外光刻得到的14 nm半节距图案线边缘粗糙度仅1.7 nm，满足高端光刻的尺寸控制要求。

热稳定性好

杯芳烃衍生物本身具有优异的热稳定性，作为光刻胶可在后续工艺中保持图案完整性。

应用场景

• 极紫外光刻 (EUVL)：为高分辨率EUVL提供非化学放大光刻胶，实现14 nm半节距并降低LER。
• 电子束光刻 (EBL)：用于EBL的18 nm L/S和14 nm L/2S图案，抗坍塌并简化工艺。
• 高分辨率图案化：氢键增强机械强度，支撑14 nm以下高分辨率结构不坍塌。
• 半导体制造：单组分材料减少工艺步骤，兼具热稳定性和成膜性，适用于大规模制造。