LiCuNb₃O₉掺杂CCTO陶瓷

损耗更低介电更高

通过掺杂LCNO使晶粒内部电响应增强，在保持巨介电常数的同时抑制高频介电损耗，为电子器件小型化提供无铅候选材料。

毛蒲 · Sun, Jie · Hui-Min, Feng · 刘智勇 · Guo, Kun · 谢兵 · Wang, Ting · He, Liqiang · 高景晖

Rare Metals 2025

具体参数

Permittivity

20 Hz

晶粒电阻

9.61 Ω

晶粒活化能

0.21 eV

技术优势

高频介电损耗被抑制