单层GaInO₃

面外压电显著增强

兼具直接带隙、超高载流子迁移率和内建电场，可实现载流子有效分离，在原子级厚度的光电器件和压电器件中具有应用潜力。

Hu, Lei · Yi-Feng, Sun · Jie, Cheng · Xi, Qin · Xinyi, Yang · Song, Wu · Ru-Fei, Tang · Zhi, Long · Ming-Xia, Tang · Hu, Zhengquan · Zou, Xing · An-Rong, Wang · 王仕发 · Yong, Wei · 刘俐俐 · Wu, Xiaozhi

Results in Physics 2023

参数信息

带隙

1.53 eV

载流子迁移率

2000 cm²·V⁻¹·s⁻¹

技术优势

载流子迁移率超高

电子和空穴的迁移率均超过2000 cm²·V⁻¹·s⁻¹，有利于高速电子器件和光电器件。

载流子有效分离

强内建电场与空间隔离的导带底和价带顶使光生电子-空穴对有效分离，降低复合。

面外压电效应突出

其面外压电效应显著强于以往的二维材料，适合现代顶底栅技术。

应用场景

• 光电探测器：直接带隙和有效载流子分离使其适合做光吸收层和探测器。
• 柔性压电器件：显著的面外压电效应适用于顶底栅等柔性压电器件。
• 二维材料器件：原子级厚度和优异性能使其成为二维材料器件的有力候选。
• 原子级厚度电子器件：单层结构和高迁移率满足原子级厚度电子器件的需求。