垂直外延锗纳米线

低接触电阻高载浓度

激光诱导固液生长实现单晶垂直外延，解决锗纳米线接触难题，为CMOS集成提供可能。

Yang, Shuang · Han, Yi · Li, Wenhui · Yongsen, He · Jiang, Yifan · Liu, Siyu

Journal of the American Chemical Society 2026

技术优势

局域加热保护基底

脉冲激光只在催化剂-基底界面产生空间受限的光热加热，前驱体反应和纳米线生长所需的高温不会扩展到整个衬底，溶液整体维持低温，为在芯片级基底上集成打下基础。

接触电阻不再卡脖子

纳米线与衬底之间是外延结，载流子浓度高，电学测量显示近线性I-V特性和低接触电阻，绕开了n型锗器件常见的接触难题。

不用特殊设备也能长单晶

溶液法的设备复杂度远低于传统气相外延，而得到的仍是垂直排列、单晶、与衬底有明确外延关系的锗纳米线，兼顾了质量与便捷。

应用场景

• 锗基CMOS：以垂直外延锗纳米线直接构建沟道或接触层，规避传统n型锗接触电阻高的集成障碍。
• 先进CMOS器件：低热预算外延工艺与标准CMOS后端兼容，可将锗纳米线异质集成到先进节点器件中。
• 纳米电子学：高晶体质量、外延结和低接触电阻的锗纳米线阵列适合作为纳米电子器件的单元或互连。