光电化学机械抛光4H-SiC

速率提至8倍

利用电场调制氧化速率，在不引入损伤的前提下大幅提高对高硬高化学稳定性4H-SiC衬底的抛光效率。

Yang, Zhao · 高尚 · Yuewen, Sun · 吴跃勤 · 扬帆 · 77039516 · 董志刚

International Journal of Mechanical Sciences 2025

参数信息

材料去除率（MRR）

4.2 μm/h

表面粗糙度Sa

0.13 nm

技术优势

去除率升至8倍

光电化学氧化预先软化表面，使后续磨粒去除更高效，材料去除率达到传统CMP的8倍。

不损伤表面

在5 V下加工即可获得表面粗糙度Sa=0.13 nm的光滑无损伤表面，满足器件制造要求。

应用场景

• SiC衬底加工：替代传统CMP，大幅提高4H-SiC衬底抛光效率且不引入损伤。
• 功率器件制造：获得满足器件制造要求的无损伤表面，保障功率器件性能与良率。