硅纳米线忆阻器

超低能耗开关

平面固液固生长的硅纳米线结合边缘线接触设计，大幅提升器件均匀性与开关性能。

Liu, Zongguang · 王军转 · Yu, Linwei

ACS Nano 2025

具体参数

工作电压

{'zh': '约0.8', 'en': '~0.8'} V

漏电流

{'zh': '1', 'en': ''} pA

开关速度

{'zh': '约8', 'en': '~8'} ns

单次操作能耗

{'zh': '47.2', 'en': ''} fJ

技术优势

开关比>10⁷