B-N共价π延伸MR发光体

半峰宽仅8 nm

通过B-N共价键参与的π延伸策略合成的高阶B/N基元发光体，兼具超窄带发射、增强的分子刚性和高效反向系间窜越，在提升色纯度的同时抑制效率滚降，实现高效稳定的OLED。

Xingyu, Huang · Jiahui, Liu · Yulin, Xu · Guohao, Chen · Manli, Huang · Yu, Mingxin · Lv, Xialei · Yin, Xiaojun · 邹洋 · 缪景生 · 曹啸松 · 杨楚罗

National Science Review 2024

具体参数

小至

8 nm

OLED EQEmax

42.6 %

技术优势

实现单主体OLED最高效率