寿命超66,000小时
通过氧化处理调控氧空位,提升空穴注入能力,使QLED工作寿命远超传统PEDOT:PSS器件。
Jing-Jing, Jiang · Ting, Ding · Hui, Bao · Song, Yin Man · Wang, Meng · Hang, Liu · Wu, Zhisheng · 钟海政 · 刘宏超 · 李杨 · Pei-Li, Gao · NG, Kar Wei · Wang, Shuang · Li, Yang
ACS Applied Materials & Interfaces 2025
红光QLED的T50@100 cd·m⁻²工作寿命达到约66,892小时,远超PEDOT:PSS基器件的典型寿命,且电流效率相当(13.7 cd·A⁻¹)。
氧化处理可减少MoOₓ薄膜中的氧空位,提高导带底,从而促进从空穴传输层HOMO提取电子,增强空穴注入。