高压金属化ZrS₂薄膜

12.3 GPa 发生金属化

通过高压诱导，ZrS₂从半导体转变为金属态，电阻率突降源于载流子浓度和迁移率的协同提升。

李玉强 · Yang, Liu · Zhang, Qiang · Chuanzhen, Zhao · Jinlu, Sun · Xiao, Ningru · Li, Yuhong · Yuyao, Liu · 宁平凡 · 刘宏伟 · 牛萍娟

Vacuum 2024

具体参数

金属化压力

{'zh': '12.3', 'en': '12.3'} GPa

结构相变压力

{'zh': '2.0', 'en': '2.0'} GPa

结构相变压力

{'zh': '6.0', 'en': '6.0'} GPa

最高实验压力

{'zh': '30.7', 'en': '30.7'} GPa

技术优势

压力可调金属化

在12.3 GPa下发生金属化，电阻率突降，为调控电子性质提供了干净的手段。

揭示载流子机制

霍尔系数突降归因于载流子浓度增加，阐明了电阻率变化的微观起源。

应用场景

• 高压输运测试：用于验证压力诱导的半导体-金属转变和电输运机制。
• 光电器件：压力调制的电子结构变化可为光电器件设计提供参考。