Bi2Te2.7Se0.3/SnSe异质忆阻器

10⁴次循环稳定

拓扑绝缘体与铁电材料结合,克服传统忆阻器稳定性差与光电突触可塑性有限的难题。

王宏 · Chang, He · Liu, Haoning · Runyao, Lin · 王淑芳 · 闫小兵

Advanced Materials 2025

参数信息

循环稳定性
10⁴
平均开关功耗
0.25 µW
导电状态数
2⁵
识别准确率
97.68 %

技术优势

循环寿命长

实现10⁴次循环稳定,可直接用于长期运行的存储或计算系统。

功耗极低

平均开关功耗仅0.25 µW,适合大规模集成和边缘设备。

多级存储能力

具备32个导电状态,可实现高密度存储和更精细的突触权重调节。

光电突触可塑

在不同信号下可原位模拟成对脉冲易化、强直后增强等多种突触行为。

应用场景