单相双相动作电位
基于该忆阻器的神经元电路，可在混沌边缘附近同时产生单相与双相动作电位，并与多种神经形态行为如簇发放、适应、自持振荡及异常混沌放电协同出现，为构建更逼真的神经形态硬件提供了新途径。
臧红岩 · Lili, Huang · Fei, Gao · 雷腾飞 · 董玉姣 · 王光义
Chaos, Solitons and Fractals 2025
忆阻器具有对称局部有源域，在混沌边缘附近通过超临界/亚临界Hopf分岔产生双相动作电位，弥补了现有忆阻器神经元仅能产生单相动作电位的不足。
该忆阻器神经元还能产生周期放电、簇发放、适应、自持振荡和异常混沌放电等多种模式，可用于构建更复杂的神经形态系统。
通过局部有源和混沌边缘理论阐明了双相/单相动力学共存的物理起源，为设计忆阻器神经元提供了理论指导。