β'-In₂Se₃压阻材料

压强下电阻降六个量级

层内原子位移主导巨压阻效应，无需结构相变即实现半导体-半金属转变。

Tang, Lingyun · 毛忠泉 · Wang, Chutian · Yin, Yuefeng · 沈斌 · 谭大勇 · 李倩 · 王永刚 · Medhekar, Nikhil V. · Wu, Jie · 袁辉球 · 李延春 · Fuhrer, Michael S. · 郑昌喜

Nature Communications 2023

技术优势

1.2 GPa下电阻率下降六个数量级

压阻系数πp为-5.33 GPa⁻¹

发生半导体-半金属转变

无结构相变