高K分裂栅SiC超结MOSFET

开关损耗低四成

高K栅介质优化漂移区电场分布，并降低栅漏电容，实现击穿电压和开关特性的同步提升。

Yao, Jiafei · Zhengfei, Yang · Dai, Yuxuan · Hu, Ziwei · Li, Man · Yang, Kemeng · 陈静 · Zhang, Maolin · 张珺 · Guo, Yufeng

Journal of Semiconductors 2025

具体参数

开通损耗降低

38.3 %

关断损耗降低

31.6 %

技术优势

FOM (BV²/Ron,sp) 提升110.5%

HFFOM (Ron,sp·Cgd) 降低93.6%