Ag纳米催化剂化学镀铜种子层

微孔内均匀成膜

以银纳米粒子替代贵金属钯催化化学镀铜，在微米级硅通孔内实现连续均匀的导电种子层，为芯片三维集成中的无空洞填充提供新路径。

Wang, Zhaoyun · Xin, Zhao · Anni, Zheng · Jin, Lei · Yang, Jiaqiang · 刘俊扬 · 詹东平 · 于大全 · 杨防祖 · 孙世刚

Surfaces and Interfaces 2025

具体参数

银纳米颗粒平均尺寸

{'zh': '9.7', 'en': '9.7'} nm

铜(220)织构系数

{'zh': '25', 'en': '25'} %

铜(311)织构系数

{'zh': '25', 'en': '25'} %

技术优势

催化剂便宜

用银代替贵金属钯，以没食子酸为还原剂在水相中合成，材料成本和环境门槛都更低。

孔里镀得匀

9.7 nm银纳米粒子的高催化活性使化学镀铜在TSV内壁均匀发生，最终电镀后实现无空洞填充。

晶体取向可控

催化生长的铜层具有混合晶构，(220)与(311)织构系数接近并高于25%，这有利于性能稳定。

应用场景

• TSV互连：用化学镀代替PVD在微孔内做种子层，降低TSV垂直互连的制造成本。
• 芯片三维封装：实现高深宽比TSV的无空洞铜填充，提高芯片三维封装中垂直通孔的可靠性。
• 微流控器件：在微通道内壁形成连续导电层，用于微流控器件中的电化学传感或加热功能。
• 高密度互连基板：为高密度互连基板中的微盲孔提供低成本、保形的种子层方案。