低阈值高功率
通过引入空穴存储层，该VCSEL有效抑制了空穴泄漏并改善量子阱内载流子均匀性，从而降低阈值电流并提升激光输出功率。
Wang, Yachen · 梁锋 · 杨静 · 陈平 · 刘宗顺 · Changsheng, Xia · 赵德刚
Results in Physics 2024
较厚的非掺杂GaN层增强了能带倾斜，抑制了空穴从有源区溢出，从而降低阈值电流并提高输出功率。
空穴存储层提高了量子阱中空穴径向分布的均匀性，有利于受激复合效率的提升。
与三量子阱或更多量子阱结构相比，双量子阱结构有更低的光吸收损耗和更强的有源区光场，因此输出性能更优。
理论计算表明，空穴的垂直输运能力是决定总受激复合速率和空穴泄漏的关键因素。