单片3D IGZO-RRAM-SRAM集成架构

等效理想器件指标

通过系统-技术协同优化，利用2T0C IGZO、RRAM和SRAM的异构集成，在-40°C至120°C下实现高精度、高密度和高能效的内存计算，克服单一器件非理想特性。

Shengzhe, Yan · Cong, Zhaori · Zi, Wang · Zhuoyu, Dai · Guo, Zeyu · Zhihang, Qian · Xufan, Li · Zheng, Xu · Chen, Chuanke · 卢年端 · 窦春萌 · 杨冠华 · 许晓欣 · 耿玓 · 岳金山 · Wang, Lingfei · 李玲 · 刘明

Science China Information Sciences 2025

参数信息

存储密度
5.06 ×
面积效率
5.05 ×
能效
2.45 ×
精度损失
0.27 %

技术优势

精度损失小

器件非理想性影响被系统-技术协同优化抑制，在宽温度范围内精度几乎不下降。

存储密度高

采用RRAM高密度权重存储，存储密度达到单一器件方案的5.06倍。

能效提升

通过分层利用不同器件优势，能耗效率提升至单一器件方案的2.45倍。

应用场景