激活率提升23%
激光热退火让3D NAND闪存的关键晶体管沟道掺杂激活率比常规快速热退火提高至少23%，同时晶粒尺寸分布更均匀，器件阈值电压和亚阈值摆幅分布更集中。
Yang, Tao · 夏志良 · Fan, Dongyu · Zhao, Dongxue · Wei, Xie · Yang, Yuancheng · Liu, Lei · Zhou, Wenxi · 霍宗亮
Micromachines 2023
激光热退火比有限温度快速热退火激活率提高至少23%，直接提升沟道导电能力。
增大激光能量密度可使晶粒尺寸均值和标准差同时增大，优化晶粒分布。
大能量密度下晶粒重新生长，阈值电压和亚阈值摆幅分布收紧，器件一致性更好。